SMD 3535 LED 3w 1000mA เทคโนโลยีชิปพลิก
คุณสมบัติของสินค้า:
ประสิทธิภาพแสงสูงถึง 190lm/w
อายุการใช้งานยาวนานกว่า 80000hrs
ใช้ Flip Chip ทนกระแสไฟสูงและอุณหภูมิสูง
Max Forward ปัจจุบันได้ถึง 1500mA
ฐานเซรามิกอะลูมิเนียมออกไซด์ที่มีค่าการนำความร้อนที่ดี
การกระจายแสงที่สวยงามสำหรับไฟฉาย LED และไฟรถยนต์
ทางเลือกที่คุ้มค่าเมื่อเทียบกับ CREE XTE Series
ข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์:
คะแนนสูงสุดที่แน่นอน (ที่ TA=25 ℃)
พารามิเตอร์ | เครื่องหมาย | เรตติ้ง | หน่วย |
กระแสตรงไปข้างหน้า | IF | 1500 | m A |
ชีพจรสูงสุดในปัจจุบัน* | IFP | 2000 | m A |
การสูญเสียพลังงาน | PD | 4.5 | W |
แรงดันย้อนกลับ | VR | 5 | V |
กระแสย้อนกลับ | IR | 10 | μ A |
ช่วงอุณหภูมิในการทำงาน | TOPR | -30 ~ +75 | °C |
ช่วงอุณหภูมิในการจัดเก็บ | TSTG | -40 ~ +85 | °C |
อุณหภูมิทางแยก LED | TJ | 120 | °C |
ลักษณะทางไฟฟ้า/ทางแสง--สีขาว (ที่ TA=25°C)
พารามิเตอร์ | เครื่องหมาย | เงื่อนไข | นาที | เฉลี่ย | แม็กซ์ | หน่วย |
แรงดันไปข้างหน้า | VF | IF=1000mA | 3.0 | -- | 3.40 | V |
ชุมทางต้านทานความร้อนไปยังบอร์ด | RΘJ-B | IF=1000mA | -- | 8 | -- | °C/W |
ฟลักซ์ส่องสว่าง | Φe | IF=1000mA | 300 | 400 | หืม | |
อุณหภูมิสี | λp | IF=1000mA | 6000 | 6500 | นาโนเมตร | |
ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิของแรงดันไปข้างหน้า | ∆VF/∆T | IF=1000mA | −− | -2 | −− | mV/°C |
กระแสย้อนกลับ | IR | VR=10V | −− | −− | 10 | μ A |
มุมมอง[1] | 2Θ1/2 | IF=1000mA | −− | 120 | −− | องศา |
LED 3535 รายการผลิตภัณฑ์สำหรับภาพรวม:
วิธีการบรรจุ
1000 ชิ้น / รีลในถุงสูญญากาศ
ภาพรวมบริษัท:
ผู้ผลิตประสบการณ์กว่า 12 ปี
ทุนจดทะเบียน 450 ล้านเหรียญสหรัฐ
ผู้ผลิต LED TOP10 ในประเทศจีน
เน้นเฉพาะ SMD LED, COB LED, Power LED
ฐานการผลิต>6000 ตารางเมตร
ได้รับสิทธิบัตรเทคโนโลยีมากกว่า 75 รายการ
เทคโนโลยีชิปพลิกเป็นแนวคิดที่ได้รับความนิยมอย่างมากในปัจจุบัน สาระสำคัญของมันคือการออกแบบพื้นที่เปล่งแสงและพื้นที่อิเล็กโทรดของชิปที่ไม่อยู่ในระนาบเดียวกันบนพื้นฐานของกระบวนการแบบเดิม ในขณะนี้ พื้นที่อิเล็กโทรดหันไปทางด้านล่างของถ้วยหลอดไฟเพื่อทำการติดตั้ง ซึ่งสามารถบันทึกกระบวนการเชื่อมได้ อย่างไรก็ตาม กระบวนการแข็งตัวมีความแม่นยำสูงและยากที่จะได้ผลผลิตสูง ข้อดีของมันมีดังนี้:
1) มีฟังก์ชั่นการกระจายความร้อนที่ดี
2) ในเวลาเดียวกัน เรามีการออกแบบ epitaxy ชิปพลิก เทคโนโลยีชิป การออกแบบกราฟิกชิป
3) ผลิตภัณฑ์ชิปมีข้อดีของแรงดันไฟฟ้าต่ำ ความสว่างสูง ความน่าเชื่อถือสูงและความหนาแน่นกระแสความอิ่มตัวสูง
4) นอกจากนี้ วงจรป้องกันสามารถรวมเข้ากับพื้นผิวชิปพลิกได้ ซึ่งเป็นประโยชน์ต่อความน่าเชื่อถือและประสิทธิภาพของชิป
5) นอกจากนี้ เมื่อเทียบกับโครงสร้างด้านหน้าและแนวตั้ง การบัดกรีแบบพลิกชิปนั้นง่ายกว่าในการตระหนักถึงเทคโนโลยีแหล่งกำเนิดแสงชิปของโมดูลระดับชิปพลังพิเศษและการรวมมัลติฟังก์ชั่นซึ่งมีข้อดีอย่างมากในด้านผลผลิตและประสิทธิภาพของโมดูลชิป LED .
สำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับเทคโนโลยีชิป Flip ของ SMD 3535 LED 3w 1000mA โปรดติดต่อเราได้อย่างอิสระ
ป้ายกำกับยอดนิยม: smd 3535 นำเทคโนโลยีชิปพลิก 3w 1000ma, ประเทศจีน, ผู้ผลิต, ผู้จัดจำหน่าย, โรงงาน, ราคา, ราคาถูก, ใบเสนอราคา, แผ่นข้อมูล, รายละเอียด, ข้อมูลจำเพาะ
