ไม่กี่วันที่ผ่านมา กรมเศรษฐศาสตร์และเทคโนโลยีสารสนเทศของมณฑลอานฮุย เพื่อเร่งความก้าวหน้าในปัญหาคอขวดทางเทคนิคที่สำคัญและทั่วไปที่จำกัดการพัฒนาของอุตสาหกรรมการผลิต และส่งเสริมการพัฒนาคุณภาพสูงของอุตสาหกรรมการผลิต ออก"Production-University-Research-Used Products to Make up for shortcomings in the Key Fields of Manufacturing and Guidance for Tackling Key Common Technologies." แคตตาล็อก (2021)"."UV LED ทิศทางลม" พบว่า LED อัลตราไวโอเลตลึกคือการวิจัยและอุตสาหกรรมของพื้นผิวที่มีลวดลายพิเศษและเทคโนโลยีการเตรียมชิป
เป็นที่เข้าใจกันว่าการวิจัยและการพัฒนาอุตสาหกรรมของพื้นผิวที่มีลวดลายพิเศษและเทคโนโลยีการเตรียมชิปสำหรับไฟ LED แบบอัลตราไวโอเลตแบบลึกนั้นส่วนใหญ่ได้รับการวิจัยเกี่ยวกับพื้นผิวแซฟไฟร์ที่มีลวดลายนาโนซึ่งเหมาะสำหรับการเติบโตของ epitaxial ของ AlN และชิป LED อัลตราไวโอเลตอลูมิเนียมสูง AlGaN เพื่อแก้ปัญหาเซมิคอนดักเตอร์ UVC ปัญหาสามประการของเทคโนโลยี epitaxial การเพิ่มประสิทธิภาพการฆ่าเชื้อ และการปรับปรุงการกระจายความร้อน
เป้าหมายทางเทคนิคหลักคือการตระหนักถึงการเตรียมพื้นผิวที่มีลวดลายนาโนพร้อมการกระจายขนาดลวดลายที่สม่ำเสมอ ขนาดรูปแบบเฉพาะ: รูรับแสงบน (ล่าง) คือ 700-1000 (100-300) นาโนเมตร ความลึก 300-650 นาโนเมตร ระยะเวลา 1- โครงสร้างจุลภาคของ1.4μm ความสม่ำเสมอน้อยกว่า 3-5%
ประการที่สองคือการใช้พื้นผิวที่มีลวดลายระดับนาโนเพื่อให้ตระหนักว่าความยาวคลื่นการปล่อยของหลุมควอนตัม AlGaN ต่ำกว่า 280 นาโนเมตร (ความยาวคลื่นการปล่อยคือ 260-280 นาโนเมตร) และประสิทธิภาพควอนตัมภายในมากกว่า 50% นอกจากนี้ ในการเตรียมโครงสร้างชิป UV LED ความยาวคลื่นอิเล็กโตรลูมิเนสเซนซ์ต่ำกว่า 280 นาโนเมตร ประสิทธิภาพควอนตัมนอกชิปมากกว่า 3% และกำลังแสงเอาต์พุตมากกว่า 10mW"และเรื่องอื่นๆ
เนื่องจากความสามารถในการฆ่าเชื้อไวรัสคราวน์ตัวใหม่และข้อดีของมันเอง ไฟ LED อัลตราไวโอเลตแบบลึกจึงดึงดูดความสนใจจากรัฐบาลมากขึ้นเรื่อยๆ ก่อนหน้านี้สำนักวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีเซียะเหมินของมณฑลฝูเจี้ยนได้ออก"แนวทางสำหรับการประยุกต์ใช้โครงการวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีที่สำคัญ (อุตสาหกรรมและเทคโนโลยีสารสนเทศ) ในเซียะเหมินในปี 2564" มีหนึ่งรายการในอุตสาหกรรมเคมีที่ให้ความสำคัญกับ"วัสดุและอุปกรณ์เรืองแสงอัลตราไวโอเลตระดับลึกอย่างชัดเจน"
ตัวอย่างเช่น มณฑลซานซียังสนับสนุนการพัฒนาหลอด UV LED (คลิกเพื่อดูรายละเอียด) ใน"แผนห้าปีที่ 14 สำหรับอุปกรณ์ใหม่ในจังหวัดชานซี" จะมุ่งเน้นไปที่ความก้าวหน้าในด้านอุปกรณ์ตรวจจับอัจฉริยะ เช่น ชิป LED อัลตราไวโอเลต ชิป LED อัลตราไวโอเลตแบบลึก และ MiniLED เทคโนโลยีที่เน้นการวิจัยและพัฒนาผลิตภัณฑ์ UV LED แบบฟูลแบนด์ ผลิตภัณฑ์ LED epitaxy และผลิตภัณฑ์แอพพลิเคชั่น UV ในขณะเดียวกัน การลงทุนในการวิจัยและพัฒนาอุปกรณ์แซฟไฟร์และอุปกรณ์ MOCVD จะเพิ่มขึ้น
ทุกวันนี้ นโยบายในมณฑลอานฮุยนี้เกี่ยวข้องกับรังสีอัลตราไวโอเลต ซึ่งนำข่าวดีมาสู่อุตสาหกรรมอีกครั้ง และมีความสำคัญอย่างยิ่งต่อการส่งเสริมการพัฒนา UV LED!
