ในเดือนพฤษภาคมของปีนี้ King Abdullah University of Science and Technology (KAUST) ได้ประกาศการพัฒนาชิปไมโครไฟ LED สีแดงแบบ InGaN รุ่นใหม่ ประสิทธิภาพควอนตัมภายนอก (EQE) ได้รับการปรับปรุง จอแสดงผล LED มีบทบาทสำคัญในการส่งเสริม บนพื้นฐานนี้ KAUST ได้สร้างความก้าวหน้าครั้งใหม่เมื่อเร็วๆ นี้
ตามรายงานของสื่อต่างประเทศ KAUST ได้พัฒนาชิป Micro LED (μLEDs) ที่สามารถเปล่งแสงได้อย่างมีประสิทธิภาพในสเปกตรัมแสงที่มองเห็นได้ทั้งหมด โดยตระหนักถึงสีทั้งหมดของ Micro LEDs ปัจจุบัน บทความที่เกี่ยวข้องของทีม KAUST ได้รับการตีพิมพ์ในวารสาร"Photonics Research"
ตามรายงาน โลหะผสมไนโตรเจนเป็นวัสดุเซมิคอนดักเตอร์ชนิดหนึ่ง ผ่านการผสมสารเคมีที่ถูกต้อง สามารถปล่อยแสง RGB สามสี ช่วยให้ Micro LED บรรลุการแสดงผล RGB แบบเต็มสี อย่างไรก็ตาม เมื่อขนาดของชิปไนไตรด์ลดลงถึงระดับไมครอน ประสิทธิภาพการส่องสว่างก็จะอ่อนแอลงเช่นกัน
ทีมวิจัย KAUST ให้คำอธิบายโดยละเอียด: อุปสรรคหลักในการลดขนาดของชิปคือผนังด้านข้างของโครงสร้าง LED จะเสียหายระหว่างกระบวนการผลิต และการเกิดข้อบกพร่องจะทำให้เกิดการรั่วซึม ซึ่งจะส่งผลต่อการปล่อยแสง ของชิป และเมื่อขนาดลดลง ปรากฏการณ์นี้จะชัดเจนขึ้น ดังนั้นขนาดของชิป LED จึงถูกจำกัดที่ 400μm×400μm
อย่างไรก็ตาม ทีมงาน KAUST ประสบความสำเร็จในการแก้ปัญหานี้ และพัฒนาชิปไมโคร LED สีแดง InGaN ความสว่างสูงที่มีขนาด17μm×17μm
มีรายงานว่าทีมวิจัยใช้เทคโนโลยีการสะสมอะตอมที่ปรับเทียบอย่างสมบูรณ์เพื่อพัฒนาอาร์เรย์ Micro LED แสงสีแดงขนาด 10 × 10 และผ่านการบำบัดทางเคมีเพื่อขจัดความเสียหายที่เกิดกับผนังด้านข้างของโครงสร้างชิป LED จากการสังเกตการณ์ระดับอะตอม (ต้องใช้เครื่องมือระดับมืออาชีพและการเตรียมตัวอย่าง) ทีมวิจัยยืนยันว่าผนังด้านข้างมีความเป็นผลึกสูงหลังการบำบัดด้วยสารเคมี
จากการสังเกตของทีมวิจัย กำลังส่งออกต่อพื้นที่ 2 ตารางมิลลิเมตรของพื้นผิวชิปจะสูงถึง 1.76 mW ในขณะที่กำลังส่งออกต่อพื้นที่ 2 ตารางมิลลิเมตรของผลิตภัณฑ์ก่อนหน้ามีเพียง 1 mW ในทางตรงกันข้าม กำลังขับของผลิตภัณฑ์ใหม่ได้รับการปรับปรุงอย่างมาก ซึ่งหมายความว่าภายนอก ประสิทธิภาพการส่องสว่างของควอนตัมได้รับการปรับปรุงอย่างมาก ต่อจากนั้นทีมวิจัยได้รวมชิป Micro LED แสงสีแดงกับชิป Micro LED แสงสีน้ำเงินและสีเขียว InGaN เพื่อผลิตอุปกรณ์ Micro LED ที่มีช่วงสีกว้าง
KAUST เชื่อว่าด้วยข้อดีของความสว่างสูง ความเร็วในการตอบสนองที่รวดเร็ว ขอบเขตสีที่กว้าง และการสิ้นเปลืองพลังงานต่ำ InGaN Micro LED จะเป็นโซลูชั่นที่สมบูรณ์แบบสำหรับจอภาพแบบสวมศีรษะ Micro LED รุ่นต่อไป โทรศัพท์มือถือ ทีวี และอุปกรณ์อื่นๆ ในขั้นตอนต่อไป ทีมงาน KAUST จะปรับปรุงประสิทธิภาพของ Micro LED ต่อไป และลดขนาดให้เหลือน้อยกว่า 10μm
เป็นที่น่าสังเกตว่า Jinngneng Optoelectronics ได้สร้างสรรค์สิ่งใหม่ ๆ บนท้องถนนเพื่อให้ได้ Micro LED แบบ InGaN แบบสีเต็มรูปแบบ
ตามความเข้าใจของ LEDinside' Jinngneng Optoelectronics ได้พัฒนาชิป Micro LED สีแดงที่ใช้ซิลิกอนและประสบความสำเร็จในการสร้างอาร์เรย์ Micro LED ที่ใช้ GaN บนพื้นผิวซิลิกอนที่มีสามสีหลักคือสีแดง สีเขียว และสีน้ำเงิน อย่างไรก็ตาม Jinngneng ยังยอมรับด้วยว่าวิธีทดสอบประสิทธิภาพควอนตัมภายนอกในปัจจุบันของชิป Micro LED สีแดงจำเป็นต้องได้รับการปรับให้เหมาะสมเพิ่มเติม
ในแง่ของขนาดที่เล็กกว่าของเทคโนโลยีชิป Micro LED ในเดือนมีนาคมปีนี้ University of California, Santa Barbara (UCSB) ยังได้ประกาศการสาธิตครั้งแรกของชิป Micro LED แสงสีแดงที่ใช้ InGaN ที่มีขนาดน้อยกว่า10μm แต่ยังต้องเผชิญกับการปล่อยแสงควอนตัมภายนอก ปัญหาประสิทธิภาพต่ำ มีรายงานว่า EQE ที่วัดจากการวัดเวเฟอร์ของชิปนี้มีค่าเพียง 0.2%
UCSB ชี้ให้เห็นว่าประสิทธิภาพการส่องสว่างแบบควอนตัมภายนอกของ Micro LED จะต้องสูงถึง 2-5% เป็นอย่างน้อย เพื่อให้เป็นไปตามข้อกำหนดของจอแสดงผลเทอร์มินัล แผนต่อไปของ UCSB' คือการปรับปรุงคุณภาพวัสดุและปรับขั้นตอนการผลิตให้เหมาะสมเพื่อให้เกิดประสิทธิภาพควอนตัมภายนอกที่เพิ่มขึ้น
จะเห็นได้ว่าทีมวิจัยยังคงมีหนทางอีกยาวไกลในการส่งเสริมการใช้สีเต็มรูปแบบและการจำหน่าย Micro LEDs แต่ข่าวดีก็คือ เมื่อเทียบกับปีก่อนหน้า ความก้าวหน้าของทุกฝ่ายในเทคโนโลยี Micro LED ในปีนี้มีบทบาทสำคัญในการส่งเสริมอุตสาหกรรม Micro LED และผลิตภัณฑ์ขั้วต่างๆ ก็ค่อยๆ ปรากฏขึ้น ซึ่งหมายความว่าผู้ผลิตและผู้บริโภคกำลังจะจากไป ไฟ LED ขนาดเล็กและใกล้กว่าเล็กน้อย
